Transistor de canal N BF998, SOT-143, 30mA, 15mA, SOT-143, 12V

Transistor de canal N BF998, SOT-143, 30mA, 15mA, SOT-143, 12V

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Transistor de canal N BF998, SOT-143, 30mA, 15mA, SOT-143, 12V. Carcaça: SOT-143. DI (T=25°C): 30mA. Idss (máx.): 15mA. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-143. Tensão Vds(máx.): 12V. C (pol.): 2.1pF. Custo): 1.1pF. Função: Aplicações VHF e UHF com tensão de alimentação de 12V. IDss (min): 5mA. Marcação na caixa: MOS. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 200mW. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: não. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Tecnologia: Silicon N-channel dual-gate MOS-FET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Temperatura: +150°C. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Produto original do fabricante: Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 22:30

Documentação técnica (PDF)
BF998
23 parâmetros
Carcaça
SOT-143
DI (T=25°C)
30mA
Idss (máx.)
15mA
Habitação (conforme ficha técnica)
SOT-143
Tensão Vds(máx.)
12V
C (pol.)
2.1pF
Custo)
1.1pF
Função
Aplicações VHF e UHF com tensão de alimentação de 12V
IDss (min)
5mA
Marcação na caixa
MOS
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Número de terminais
4
Pd (dissipação de energia, máx.)
200mW
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
não
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Tecnologia
Silicon N-channel dual-gate MOS-FET
Temperatura operacional
-55...+150°C
Temperatura
+150°C
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Produto original do fabricante
Infineon Technologies