Transistor de canal N BF990A, 30mA, 18mA, SOT-143, SOT-143, 18V

Transistor de canal N BF990A, 30mA, 18mA, SOT-143, SOT-143, 18V

Quantidade
Preço unitário
1-4
0.29€
5-24
0.23€
25-49
0.20€
50-99
0.18€
100+
0.15€
Quantidade em estoque: 319

Transistor de canal N BF990A, 30mA, 18mA, SOT-143, SOT-143, 18V. DI (T=25°C): 30mA. Idss (máx.): 18mA. Carcaça: SOT-143. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-143. Tensão Vds(máx.): 18V. C (pol.): 3pF. Custo): 1.2pF. Função: Aplicações VHF e UHF com tensão de alimentação de 12V. IDss (min): 2mA. Marcação na caixa: M90. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 200mW. Proteção GS: sim. Proteção contra fonte de drenagem: não. Quantidade por caixa: 1. Tecnologia: Silicon N-channel dual-gate MOS-FET. Temperatura: +150°C. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Produto original do fabricante: Philips Semiconductors. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 13:31

BF990A
21 parâmetros
DI (T=25°C)
30mA
Idss (máx.)
18mA
Carcaça
SOT-143
Habitação (conforme ficha técnica)
SOT-143
Tensão Vds(máx.)
18V
C (pol.)
3pF
Custo)
1.2pF
Função
Aplicações VHF e UHF com tensão de alimentação de 12V
IDss (min)
2mA
Marcação na caixa
M90
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Número de terminais
4
Pd (dissipação de energia, máx.)
200mW
Proteção GS
sim
Proteção contra fonte de drenagem
não
Quantidade por caixa
1
Tecnologia
Silicon N-channel dual-gate MOS-FET
Temperatura
+150°C
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Produto original do fabricante
Philips Semiconductors