Transistor de canal N APT8075BVRG, 12A, 250uA, 0.75 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.75 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 2600pF. Custo): 270pF. Diodo Trr (mín.): 600 ns. Função: comutação rápida, baixo vazamento. IDss (min): 25uA. Id(im): 48A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Pd (dissipação de energia, máx.): 260W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: Power MOSV. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 2V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Produto original do fabricante: Advanced Power. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 04:35