Transistor de canal N APT5010JVR, 44A, 250uA, 0.10 Ohms, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT-227 ), 500V

Transistor de canal N APT5010JVR, 44A, 250uA, 0.10 Ohms, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT-227 ), 500V

Quantidade
Preço unitário
1-2
41.15€
3-4
39.57€
5-9
36.59€
10+
34.03€
Quantidade em estoque: 13

Transistor de canal N APT5010JVR, 44A, 250uA, 0.10 Ohms, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT-227 ), 500V. DI (T=25°C): 44A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.10 Ohms. Carcaça: ISOTOP ( SOT227B ). Habitação (conforme ficha técnica): ISOTOP ( SOT-227 ). Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 7400pF. Custo): 1000pF. Diodo Trr (mín.): 620 ns. Função: comutação rápida, baixo vazamento. IDss (min): 25uA. Id(im): 176A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Pd (dissipação de energia, máx.): 450W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Td(desligado): 54 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: Power MOSV. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 2V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Produto original do fabricante: Advanced Power. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 04:35

Documentação técnica (PDF)
APT5010JVR
27 parâmetros
DI (T=25°C)
44A
Idss (máx.)
250uA
On-resistência Rds On
0.10 Ohms
Carcaça
ISOTOP ( SOT227B )
Habitação (conforme ficha técnica)
ISOTOP ( SOT-227 )
Tensão Vds(máx.)
500V
C (pol.)
7400pF
Custo)
1000pF
Diodo Trr (mín.)
620 ns
Função
comutação rápida, baixo vazamento
IDss (min)
25uA
Id(im)
176A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Pd (dissipação de energia, máx.)
450W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
Td(desligado)
54 ns
Td(ligado)
14 ns
Tecnologia
Power MOSV
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão porta/fonte (desligada) mín.
2V
Tensão porta/fonte Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Produto original do fabricante
Advanced Power