Transistor de canal N APT5010JFLL, 41A, 1000uA, 0.10 Ohms, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT-227 ), 500V

Transistor de canal N APT5010JFLL, 41A, 1000uA, 0.10 Ohms, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT-227 ), 500V

Quantidade
Preço unitário
1-2
41.51€
3-4
39.91€
5-9
36.48€
10+
34.12€
Quantidade em estoque: 8

Transistor de canal N APT5010JFLL, 41A, 1000uA, 0.10 Ohms, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT-227 ), 500V. DI (T=25°C): 41A. Idss (máx.): 1000uA. On-resistência Rds On: 0.10 Ohms. Carcaça: ISOTOP ( SOT227B ). Habitação (conforme ficha técnica): ISOTOP ( SOT-227 ). Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 4360pF. Custo): 895pF. Diodo Trr (mín.): 280 ns. Função: comutação rápida, baixo vazamento. IDss (min): 250uA. Id(im): 164A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Pd (dissipação de energia, máx.): 378W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Td(desligado): 25 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: Power MOS 7 FREDFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: Advanced Power. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 04:35

Documentação técnica (PDF)
APT5010JFLL
27 parâmetros
DI (T=25°C)
41A
Idss (máx.)
1000uA
On-resistência Rds On
0.10 Ohms
Carcaça
ISOTOP ( SOT227B )
Habitação (conforme ficha técnica)
ISOTOP ( SOT-227 )
Tensão Vds(máx.)
500V
C (pol.)
4360pF
Custo)
895pF
Diodo Trr (mín.)
280 ns
Função
comutação rápida, baixo vazamento
IDss (min)
250uA
Id(im)
164A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Pd (dissipação de energia, máx.)
378W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
Td(desligado)
25 ns
Td(ligado)
11 ns
Tecnologia
Power MOS 7 FREDFET
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
5V
Vgs(th) mín.
3V
Produto original do fabricante
Advanced Power