Transistor de canal N APT15GP60BDQ1G, 27A, TO-247, TO-247, 600V

Transistor de canal N APT15GP60BDQ1G, 27A, TO-247, TO-247, 600V

Quantidade
Preço unitário
1-4
13.23€
5-14
12.37€
15-29
11.66€
30-59
11.11€
60+
10.08€
Quantidade em estoque: 13

Transistor de canal N APT15GP60BDQ1G, 27A, TO-247, TO-247, 600V. Ic(T=100°C): 27A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. C (pol.): 1685pF. Corrente do coletor: 56A. Custo): 210pF. Diodo CE: sim. Diodo Trr (mín.): 55ms. Diodo de germânio: não. Função: Fontes de alimentação comutadas de alta frequência. Ic(pulso): 65A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. RoHS: sim. Td(desligado): 29 ns. Td(ligado): 8 ns. Tecnologia: POWER MOS 7® IGBT. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.2V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.7V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tipo de canal: N. Produto original do fabricante: Advanced Power. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 04:35

Documentação técnica (PDF)
APT15GP60BDQ1G
27 parâmetros
Ic(T=100°C)
27A
Carcaça
TO-247
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-247
Tensão do coletor/emissor Vceo
600V
C (pol.)
1685pF
Corrente do coletor
56A
Custo)
210pF
Diodo CE
sim
Diodo Trr (mín.)
55ms
Diodo de germânio
não
Função
Fontes de alimentação comutadas de alta frequência
Ic(pulso)
65A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
250W
RoHS
sim
Td(desligado)
29 ns
Td(ligado)
8 ns
Tecnologia
POWER MOS 7® IGBT
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão de saturação VCE(sat)
2.2V
Tensão máxima de saturação VCE (sat)
2.7V
Tensão porta/emissor VGE(th) min.
3V
Tensão porta/emissor VGE(th)máx.
6V
Tensão porta/emissor VGE
20V
Tipo de canal
N
Produto original do fabricante
Advanced Power