Transistor de canal N AP9971GI, 14A, 23A, 25uA, 0.036 Ohms, TO-220, TO-220CFM, 60V

Transistor de canal N AP9971GI, 14A, 23A, 25uA, 0.036 Ohms, TO-220, TO-220CFM, 60V

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Transistor de canal N AP9971GI, 14A, 23A, 25uA, 0.036 Ohms, TO-220, TO-220CFM, 60V. DI (T=100°C): 14A. DI (T=25°C): 23A. Idss (máx.): 25uA. On-resistência Rds On: 0.036 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220CFM. Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 1700pF. Condicionamento: tubo de plástico. Custo): 160pF. Diodo Trr (mín.): 37 ns. IDss (min): 10uA. Id(im): 80A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 31.3W. Proteção GS: NO. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 26 ns. Td(ligado): 9 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 50. Vgs(th) mín.: 1V. Produto original do fabricante: Advanced Power. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 04:35

Documentação técnica (PDF)
AP9971GI
30 parâmetros
DI (T=100°C)
14A
DI (T=25°C)
23A
Idss (máx.)
25uA
On-resistência Rds On
0.036 Ohms
Carcaça
TO-220
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220CFM
Tensão Vds(máx.)
60V
C (pol.)
1700pF
Condicionamento
tubo de plástico
Custo)
160pF
Diodo Trr (mín.)
37 ns
IDss (min)
10uA
Id(im)
80A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
31.3W
Proteção GS
NO
Proteção contra fonte de drenagem
diodo
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
26 ns
Td(ligado)
9 ns
Tecnologia
ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Unidade de condicionamento
50
Vgs(th) mín.
1V
Produto original do fabricante
Advanced Power