Transistor de canal N AP9971GH, 16A, 25A, 250uA, 0.036 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V

Transistor de canal N AP9971GH, 16A, 25A, 250uA, 0.036 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V

Quantidade
Preço unitário
1-4
1.22€
5-24
1.05€
25-49
0.92€
50-99
0.83€
100+
0.71€
Quantidade em estoque: 74

Transistor de canal N AP9971GH, 16A, 25A, 250uA, 0.036 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. DI (T=100°C): 16A. DI (T=25°C): 25A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.036 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 1700pF. Condicionamento: rolo. Custo): 160pF. Diodo Trr (mín.): 37 ns. Função: Comutação rápida, inversores, fontes de alimentação. IDss (min): 1uA. Id(im): 90A. Marcação na caixa: 9971GH. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 39W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 26 ns. Td(ligado): 9 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 3000. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Produto original do fabricante: Advanced Power. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 04:35

Documentação técnica (PDF)
AP9971GH
33 parâmetros
DI (T=100°C)
16A
DI (T=25°C)
25A
Idss (máx.)
250uA
On-resistência Rds On
0.036 Ohms
Carcaça
D-PAK ( TO-252 )
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Tensão Vds(máx.)
60V
C (pol.)
1700pF
Condicionamento
rolo
Custo)
160pF
Diodo Trr (mín.)
37 ns
Função
Comutação rápida, inversores, fontes de alimentação
IDss (min)
1uA
Id(im)
90A
Marcação na caixa
9971GH
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Número de terminais
2
Pd (dissipação de energia, máx.)
39W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
26 ns
Td(ligado)
9 ns
Tecnologia
ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Unidade de condicionamento
3000
Vgs(th) máx.
3V
Vgs(th) mín.
1V
Produto original do fabricante
Advanced Power