Transistor de canal N AP9971GD, DIP, DIP-8. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-8. Função: MOS-N-FET. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 8:1. Quantidade por caixa: 2. RoHS: sim. Spec info: 0.050R (50m Ohms). Tipo de canal: N. Produto original do fabricante: Advanced Power. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 04:35