Transistor de canal N AP4800CGM, 8.4A, 10.4A, 10uA, 10.4A, 0.014 Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=100°C): 8.4A. DI (T=25°C): 10.4A. Idss: 10uA. Idss (máx.): 10.4A. On-resistência Rds On: 0.014 Ohms. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 450pF. Custo): 120pF. Diodo Trr (mín.): 20 ns. Função: comutação rápida, conversor DC/DC. Id(im): 40A. Marcação na caixa: 4800C G M. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 17 ns. Td(ligado): 7 ns. Tecnologia: Modo de aprimoramento Power MOSFET. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Produto original do fabricante: Advanced Power. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:25