Transistor de canal N AON6512, 115A, 150A, 5uA, 1.9m Ohms, PowerPAK SO-8, PowerSO-8 ( DFN5X6 ), 30 v. DI (T=100°C): 115A. DI (T=25°C): 150A. Idss (máx.): 5uA. On-resistência Rds On: 1.9m Ohms. Carcaça: PowerPAK SO-8. Habitação (conforme ficha técnica): PowerSO-8 ( DFN5X6 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 3430pF. Custo): 1327pF. Diodo Trr (mín.): 22 ns. Função: Idsm--54A/25°C, Idsm--43A/70°C. IDss (min): 1uA. Id(im): 340A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 83W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 33.8 ns. Td(ligado): 7.5 ns. Tecnologia: A mais recente tecnologia Trench Power AlphaMOS. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Produto original do fabricante: Alpha & Omega Semiconductors. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:25