Transistor de canal N AOD518, 42A, 54A, 5uA, 6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

Transistor de canal N AOD518, 42A, 54A, 5uA, 6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

Quantidade
Preço unitário
1-4
0.97€
5-49
0.77€
50-99
0.65€
100+
0.57€
Quantidade em estoque: 2298

Transistor de canal N AOD518, 42A, 54A, 5uA, 6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. DI (T=100°C): 42A. DI (T=25°C): 54A. Idss (máx.): 5uA. On-resistência Rds On: 6m Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 951pF. Condicionamento: rolo. Custo): 373pF. Diodo Trr (mín.): 10.2 ns. Função: Conversor de tensão CC/CC. IDss (min): 1uA. Id(im): 96A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: RDS muito baixo (ligado) a 10VGS. Td(desligado): 18.5 ns. Td(ligado): 6.25 ns. Tecnologia: A mais recente tecnologia Trench Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 2500. Vgs(th) mín.: 1.8V. Produto original do fabricante: Alpha & Omega Semiconductors. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:25

Documentação técnica (PDF)
AOD518
32 parâmetros
DI (T=100°C)
42A
DI (T=25°C)
54A
Idss (máx.)
5uA
On-resistência Rds On
6m Ohms
Carcaça
D-PAK ( TO-252 )
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Tensão Vds(máx.)
30 v
C (pol.)
951pF
Condicionamento
rolo
Custo)
373pF
Diodo Trr (mín.)
10.2 ns
Função
Conversor de tensão CC/CC
IDss (min)
1uA
Id(im)
96A
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Número de terminais
2
Pd (dissipação de energia, máx.)
1W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
RDS muito baixo (ligado) a 10VGS
Td(desligado)
18.5 ns
Td(ligado)
6.25 ns
Tecnologia
A mais recente tecnologia Trench Power MOSFET
Temperatura operacional
-55...+175°C
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Unidade de condicionamento
2500
Vgs(th) mín.
1.8V
Produto original do fabricante
Alpha & Omega Semiconductors