Transistor de canal N AO4716, 9.6A, 12A, 20mA, 0.0058 Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=100°C): 9.6A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 20mA. On-resistência Rds On: 0.0058 Ohms. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 2154pF. Custo): 474pF. Diodo Trr (mín.): 12 ns. Função: t=10sec, Idsm--16.5A/25°C, Idsm--13A/70°C. IDss (min): 0.1mA. Id(im): 180A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 3.1W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 25.2 ns. Td(ligado): 6.8 ns. Tecnologia: Efeito de campo do modo de aprimoramento (SRFET). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1.3V. Produto original do fabricante: Alpha & Omega Semiconductors. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:25