Transistor de canal N AO4714, 16A, 20A, 0.1mA, 20mA, 0.0039 Ohms, SO, SO-8, 30 v

Transistor de canal N AO4714, 16A, 20A, 0.1mA, 20mA, 0.0039 Ohms, SO, SO-8, 30 v

Quantidade
Preço unitário
1-4
0.95€
5-49
0.80€
50-99
0.71€
100-199
0.63€
200+
0.53€
Quantidade em estoque: 882

Transistor de canal N AO4714, 16A, 20A, 0.1mA, 20mA, 0.0039 Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=100°C): 16A. DI (T=25°C): 20A. Idss: 0.1mA. Idss (máx.): 20mA. On-resistência Rds On: 0.0039 Ohms. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 3760pF. Custo): 682pF. Diodo Trr (mín.): 18 ns. IDss (min): 0.1mA. Id(im): 100A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 3W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 34 ns. Td(ligado): 9.5 ns. Tecnologia: Efeito de campo do modo de aprimoramento (SRFET). Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 1.5V. Produto original do fabricante: Alpha & Omega Semiconductors. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:25

Documentação técnica (PDF)
AO4714
28 parâmetros
DI (T=100°C)
16A
DI (T=25°C)
20A
Idss
0.1mA
Idss (máx.)
20mA
On-resistência Rds On
0.0039 Ohms
Carcaça
SO
Habitação (conforme ficha técnica)
SO-8
Tensão Vds(máx.)
30 v
C (pol.)
3760pF
Custo)
682pF
Diodo Trr (mín.)
18 ns
IDss (min)
0.1mA
Id(im)
100A
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Número de terminais
8:1
Pd (dissipação de energia, máx.)
3W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
diodo Zener
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
34 ns
Td(ligado)
9.5 ns
Tecnologia
Efeito de campo do modo de aprimoramento (SRFET)
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) mín.
1.5V
Produto original do fabricante
Alpha & Omega Semiconductors