Transistor de canal N AO3416, 5.2A, 6.5A, 5uA, 18M Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V

Transistor de canal N AO3416, 5.2A, 6.5A, 5uA, 18M Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V

Quantidade
Preço unitário
1-4
0.25€
5-49
0.20€
50-99
0.17€
100-199
0.15€
200+
0.13€
Quantidade em estoque: 260

Transistor de canal N AO3416, 5.2A, 6.5A, 5uA, 18M Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V. DI (T=100°C): 5.2A. DI (T=25°C): 6.5A. Idss (máx.): 5uA. On-resistência Rds On: 18M Ohms. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão Vds(máx.): 20V. C (pol.): 1160pF. Custo): 187pF. Diodo Trr (mín.): 17.7 ns. Função: Baixa carga de entrada. IDss (min): 1uA. Id(im): 30A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.4W. Proteção GS: sim. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: Protegido contra ESD. Td(desligado): 51.7 ns. Td(ligado): 6.2 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo do modo de aprimoramento. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 8V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 1V. Vgs(th) mín.: 0.4V. Produto original do fabricante: Alpha & Omega Semiconductors. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:52

Documentação técnica (PDF)
AO3416
31 parâmetros
DI (T=100°C)
5.2A
DI (T=25°C)
6.5A
Idss (máx.)
5uA
On-resistência Rds On
18M Ohms
Carcaça
SOT-23 ( TO-236 )
Habitação (conforme ficha técnica)
SOT-23 ( TO236 )
Tensão Vds(máx.)
20V
C (pol.)
1160pF
Custo)
187pF
Diodo Trr (mín.)
17.7 ns
Função
Baixa carga de entrada
IDss (min)
1uA
Id(im)
30A
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
1.4W
Proteção GS
sim
Proteção contra fonte de drenagem
diodo
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
Protegido contra ESD
Td(desligado)
51.7 ns
Td(ligado)
6.2 ns
Tecnologia
Transistor de efeito de campo do modo de aprimoramento
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
8V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
1V
Vgs(th) mín.
0.4V
Produto original do fabricante
Alpha & Omega Semiconductors