Transistor de canal N AO3407A, 3.5A, 4.1A, 1uA, 4.1A, 0.052 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v

Transistor de canal N AO3407A, 3.5A, 4.1A, 1uA, 4.1A, 0.052 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v

Quantidade
Preço unitário
1-4
3.20€
5-49
2.87€
50-99
2.54€
100+
2.32€
Quantidade em estoque: 58

Transistor de canal N AO3407A, 3.5A, 4.1A, 1uA, 4.1A, 0.052 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. DI (T=100°C): 3.5A. DI (T=25°C): 4.1A. Idss: 1uA. Idss (máx.): 4.1A. On-resistência Rds On: 0.052 Ohms. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 520pF. Custo): 100pF. Diodo Trr (mín.): 11 ns. Função: Aplicativos de comutação ou PWM. Id(im): 25A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.4W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 19 ns. Td(ligado): 7.5 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo do modo de aprimoramento. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Produto original do fabricante: Alpha & Omega Semiconductors. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:52

AO3407A
27 parâmetros
DI (T=100°C)
3.5A
DI (T=25°C)
4.1A
Idss
1uA
Idss (máx.)
4.1A
On-resistência Rds On
0.052 Ohms
Carcaça
SOT-23 ( TO-236 )
Habitação (conforme ficha técnica)
SOT-23 ( TO236 )
Tensão Vds(máx.)
30 v
C (pol.)
520pF
Custo)
100pF
Diodo Trr (mín.)
11 ns
Função
Aplicativos de comutação ou PWM
Id(im)
25A
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
1.4W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
diodo
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
19 ns
Td(ligado)
7.5 ns
Tecnologia
Transistor de efeito de campo do modo de aprimoramento
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Produto original do fabricante
Alpha & Omega Semiconductors