Transistor de canal N AO3400A, SOT-23 ( TO-236 ), 4.7A, 5.7A, 1uA, 5.7A, 22M Ohms, SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). DI (T=100°C): 4.7A. DI (T=25°C): 5.7A. Idss: 1uA. Idss (máx.): 5.7A. On-resistência Rds On: 22M Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. : aprimorado. C (pol.): 630pF. Cobrar: 6nC. Corrente de drenagem: 4.7A. Custo): 75pF. Diodo Trr (mín.): 16.8 ns. Função: Aplicativos de comutação ou PWM. IDss (min): 1uA. Id(im): 25A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1uA. Polaridade: unipolar. Potência: 1.4W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 21.5 ns. Td(ligado): 3.2 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo do modo de aprimoramento. Tensão da fonte de drenagem: 30V. Tensão de fonte de porta: ±12V. Tensão porta/fonte Vgs: 12V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Produto original do fabricante: Alpha & Omega Semiconductors. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:52