Transistor de canal N 3SK293-TE85L-F, SOT-343, 12.5V

Transistor de canal N 3SK293-TE85L-F, SOT-343, 12.5V

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Transistor de canal N 3SK293-TE85L-F, SOT-343, 12.5V. Carcaça: SOT-343. Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 12.5V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: -. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2pF. Configuração: componente montado em superfície (SMD). Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: -. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.1W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 30mA. Marcação do fabricante: -. Número de terminais: 4. RoHS: sim. Temperatura máxima: +125°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: -. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 1V. Produto original do fabricante: Toshiba. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 21:25

3SK293-TE85L-F
12 parâmetros
Carcaça
SOT-343
Tensão da fonte de drenagem Uds [V]
12.5V
Capacitância Ciss Gate [pF]
2pF
Configuração
componente montado em superfície (SMD)
Dissipação máxima Ptot [W]
0.1W
Família de componentes
MOSFET, N-MOS
ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C
30mA
Número de terminais
4
RoHS
sim
Temperatura máxima
+125°C.
Tensão de ruptura da porta Ugs [V]
1V
Produto original do fabricante
Toshiba