Transistor de canal N 3LN01SS, 0.15A, 10uA, 3.7 Ohms, SMD, SSFP, 30 v. DI (T=25°C): 0.15A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 3.7 Ohms. Carcaça: SMD. Habitação (conforme ficha técnica): SSFP. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 7pF. Custo): 5.9pF. Função: Ultrahigh-Speed Switching. Id(im): 0.6A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Pd (dissipação de energia, máx.): 0.15W. Proteção GS: sim. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Td(desligado): 150 ns. Td(ligado): 19 ns. Tecnologia: transistor MOSFET de silício. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 1.3V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 0.4V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Produto original do fabricante: Sanyo. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:52