Transistor de canal N 2SK904, 3A, 3A, 500uA, 4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 800V. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 3A. Idss (máx.): 500uA. On-resistência Rds On: 4 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 900pF. Custo): 90pF. Diodo Trr (mín.): 400 ns. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 10uA. Id(im): 12A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Samsung B4054-0018. Td(desligado): 150 ns. Td(ligado): 60 ns. Tecnologia: V-MOS S-L. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 2.1V. Produto original do fabricante: Fuji Electric. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:25