Transistor de canal N 2SK793, 3A, 5A, 5A, 2.5 Ohms, 850V. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 5A. On-resistência Rds On: 2.5 Ohms. Tensão Vds(máx.): 850V. Função: Transistor N MOSFET. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Quantidade por caixa: 1. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Produto original do fabricante: Toshiba. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:25