Transistor de canal N 2SK4013-Q, 6A, 100uA, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220F ( 2-10U1B ), 800V. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 1.35 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F ( 2-10U1B ). Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 1400pF. Custo): 130pF. Diodo Trr (mín.): 1100 ns. Função: Aplicações de reguladores de comutação. Id(im): 18A. Marcação na caixa: K4013 Q. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Proteção GS: sim. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 220 ns. Td(ligado): 80 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo, tipo MOS (TT-MOS IV). Temperatura operacional: -...+150°C. Temperatura: +150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Toshiba. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:25