Transistor de canal N 2SK4012-Q, 13A, 100uA, 0.33 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V

Transistor de canal N 2SK4012-Q, 13A, 100uA, 0.33 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V

Quantidade
Preço unitário
1-4
4.12€
5-24
3.64€
25-49
3.07€
50+
2.76€
Quantidade em estoque: 55

Transistor de canal N 2SK4012-Q, 13A, 100uA, 0.33 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.33 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 2400pF. Custo): 220pF. Diodo Trr (mín.): 1000 ns. Função: Aplicações de reguladores de comutação. Id(im): 52A. Marcação na caixa: K4012. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Proteção GS: sim. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 95 ns. Td(ligado): 70 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo, tipo MOS (TT-MOS VI). Temperatura: +150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Toshiba. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:25

Documentação técnica (PDF)
2SK4012-Q
29 parâmetros
DI (T=25°C)
13A
Idss (máx.)
100uA
On-resistência Rds On
0.33 Ohms
Carcaça
TO-220FP
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220F
Tensão Vds(máx.)
500V
C (pol.)
2400pF
Custo)
220pF
Diodo Trr (mín.)
1000 ns
Função
Aplicações de reguladores de comutação
Id(im)
52A
Marcação na caixa
K4012
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
45W
Proteção GS
sim
Proteção contra fonte de drenagem
diodo
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
95 ns
Td(ligado)
70 ns
Tecnologia
Transistor de efeito de campo, tipo MOS (TT-MOS VI)
Temperatura
+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Produto original do fabricante
Toshiba