Transistor de canal N 2SK3911, 20A, 500uA, 0.22 Ohms, TO-3PN, 2-16C1B, 600V

Transistor de canal N 2SK3911, 20A, 500uA, 0.22 Ohms, TO-3PN, 2-16C1B, 600V

Quantidade
Preço unitário
1-4
5.58€
5-9
4.89€
10-14
4.41€
15-29
4.08€
30+
3.63€
Quantidade em estoque: 64

Transistor de canal N 2SK3911, 20A, 500uA, 0.22 Ohms, TO-3PN, 2-16C1B, 600V. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 500uA. On-resistência Rds On: 0.22 Ohms. Carcaça: TO-3PN. Habitação (conforme ficha técnica): 2-16C1B. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 4250pF. Custo): 420pF. Diodo Trr (mín.): 1350 ns. Função: Regulador de comutação. Id(im): 80A. Marcação na caixa: K3911. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Proteção GS: sim. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Td(desligado): 80 ns. Td(ligado): 45 ns. Tecnologia: Tipo MOS de efeito de campo (MACH-II-MOS VI). Temperatura operacional: -...+150°C. Temperatura: +150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Toshiba. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:25

Documentação técnica (PDF)
2SK3911
29 parâmetros
DI (T=25°C)
20A
Idss (máx.)
500uA
On-resistência Rds On
0.22 Ohms
Carcaça
TO-3PN
Habitação (conforme ficha técnica)
2-16C1B
Tensão Vds(máx.)
600V
C (pol.)
4250pF
Custo)
420pF
Diodo Trr (mín.)
1350 ns
Função
Regulador de comutação
Id(im)
80A
Marcação na caixa
K3911
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
150W
Proteção GS
sim
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
Td(desligado)
80 ns
Td(ligado)
45 ns
Tecnologia
Tipo MOS de efeito de campo (MACH-II-MOS VI)
Temperatura operacional
-...+150°C
Temperatura
+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Produto original do fabricante
Toshiba