Transistor de canal N 2SK3799, 8A, 100uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F ( SC-67 ), 900V

Transistor de canal N 2SK3799, 8A, 100uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F ( SC-67 ), 900V

Quantidade
Preço unitário
1-4
5.82€
5-9
5.19€
10-24
4.76€
25-49
4.45€
50+
3.96€
Quantidade em estoque: 24

Transistor de canal N 2SK3799, 8A, 100uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F ( SC-67 ), 900V. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 1 Ohm. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F ( SC-67 ). Tensão Vds(máx.): 900V. C (pol.): 2200pF. Custo): 190pF. Diodo Trr (mín.): 1700 ns. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). IDss (min): -. Id(im): 24A. Marcação na caixa: K3799. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Proteção GS: sim. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 120ns. Td(ligado): 65 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSIV). Temperatura: +150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Toshiba. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:25

Documentação técnica (PDF)
2SK3799
29 parâmetros
DI (T=25°C)
8A
Idss (máx.)
100uA
On-resistência Rds On
1 Ohm
Carcaça
TO-220FP
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220F ( SC-67 )
Tensão Vds(máx.)
900V
C (pol.)
2200pF
Custo)
190pF
Diodo Trr (mín.)
1700 ns
Função
Fontes de alimentação comutadas (SMPS)
Id(im)
24A
Marcação na caixa
K3799
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
50W
Proteção GS
sim
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
120ns
Td(ligado)
65 ns
Tecnologia
Field Effect (TT-MOSIV)
Temperatura
+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Produto original do fabricante
Toshiba