Transistor de canal N 2SK3699-01MR, 3.7A, 3.7A, 250uA, 3.31 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V

Transistor de canal N 2SK3699-01MR, 3.7A, 3.7A, 250uA, 3.31 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V

Quantidade
Preço unitário
1-4
5.25€
5-24
4.65€
25-49
4.10€
50+
3.75€
Quantidade em estoque: 90

Transistor de canal N 2SK3699-01MR, 3.7A, 3.7A, 250uA, 3.31 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. DI (T=100°C): 3.7A. DI (T=25°C): 3.7A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 3.31 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 900V. C (pol.): 430pF. Custo): 60pF. Diodo Trr (mín.): 1us. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 25uA. Id(im): 14.8A. Marcação na caixa: K3699. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 43W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 32 ns. Td(ligado): 19 ns. Tecnologia: Super FAP-G Series. Temperatura: +150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: Fuji Electric. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:25

Documentação técnica (PDF)
2SK3699-01MR
30 parâmetros
DI (T=100°C)
3.7A
DI (T=25°C)
3.7A
Idss (máx.)
250uA
On-resistência Rds On
3.31 Ohms
Carcaça
TO-220FP
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220F
Tensão Vds(máx.)
900V
C (pol.)
430pF
Custo)
60pF
Diodo Trr (mín.)
1us
Função
Comutação de alta velocidade
IDss (min)
25uA
Id(im)
14.8A
Marcação na caixa
K3699
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
43W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
diodo
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
32 ns
Td(ligado)
19 ns
Tecnologia
Super FAP-G Series
Temperatura
+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) mín.
3V
Produto original do fabricante
Fuji Electric