Transistor de canal N 2SK3679, 9A, 250uA, 1.22 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 1.22 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 900V. C (pol.): 1100pF. Custo): 140pF. Diodo Trr (mín.): 3.2us. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 25uA. Id(im): 36A. Marcação na caixa: K3679. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 95W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: POWER MOSFET Super FAP-G Series. Temperatura: +150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: Fuji Electric. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:25