Transistor de canal N 2SK3667, 7.5A, 7.5A, 100uA, 0.75 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=100°C): 7.5A. DI (T=25°C): 7.5A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.75 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 600V. Diodo Trr (mín.): 1200 ns. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). Id(im): 30A. Marcação na caixa: K3667. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Proteção GS: sim. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 150 ns. Td(ligado): 50 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVI). Temperatura operacional: -...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Toshiba. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:25