Transistor de canal N 2SK3569, 10A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, SC-67, 2-10U1B, 600V

Transistor de canal N 2SK3569, 10A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, SC-67, 2-10U1B, 600V

Quantidade
Preço unitário
1-4
2.69€
5-9
2.32€
10-24
2.09€
25-49
1.93€
50+
1.72€
Quantidade em estoque: 40

Transistor de canal N 2SK3569, 10A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, SC-67, 2-10U1B, 600V. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.54 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): SC-67, 2-10U1B. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 1500pF. Condicionamento: tubo de plástico. Custo): 180pF. Diodo Trr (mín.): 1300 ns. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). Id(im): 40A. Marcação na caixa: K3569. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Peso: 1.7g. Proteção GS: sim. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 180 ns. Td(ligado): 50 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo, tipo MOS (TT-MOSVI). Temperatura: +150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 50. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Toshiba. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:31

Documentação técnica (PDF)
2SK3569
32 parâmetros
DI (T=25°C)
10A
Idss (máx.)
100uA
On-resistência Rds On
0.54 Ohms
Carcaça
TO-220FP
Habitação (conforme ficha técnica)
SC-67, 2-10U1B
Tensão Vds(máx.)
600V
C (pol.)
1500pF
Condicionamento
tubo de plástico
Custo)
180pF
Diodo Trr (mín.)
1300 ns
Função
Fontes de alimentação comutadas (SMPS)
Id(im)
40A
Marcação na caixa
K3569
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
45W
Peso
1.7g
Proteção GS
sim
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
180 ns
Td(ligado)
50 ns
Tecnologia
Transistor de efeito de campo, tipo MOS (TT-MOSVI)
Temperatura
+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Unidade de condicionamento
50
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Produto original do fabricante
Toshiba