Transistor de canal N 2SK3568, 12A, 12A, 100uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V

Transistor de canal N 2SK3568, 12A, 12A, 100uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V

Quantidade
Preço unitário
1-4
2.48€
5-24
2.22€
25-49
1.90€
50-99
1.71€
100+
1.48€
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Fora de estoque

Transistor de canal N 2SK3568, 12A, 12A, 100uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.4 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 1500pF. Custo): 180pF. Diodo Trr (mín.): 1200 ns. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). Id(im): 48A. Marcação na caixa: K3568. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Proteção GS: sim. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 170 ns. Td(ligado): 50 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVI). Temperatura: +150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Toshiba. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:31

Documentação técnica (PDF)
2SK3568
29 parâmetros
DI (T=100°C)
12A
DI (T=25°C)
12A
Idss (máx.)
100uA
On-resistência Rds On
0.4 Ohms
Carcaça
TO-220FP
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220F
Tensão Vds(máx.)
500V
C (pol.)
1500pF
Custo)
180pF
Diodo Trr (mín.)
1200 ns
Função
Fontes de alimentação comutadas (SMPS)
Id(im)
48A
Marcação na caixa
K3568
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
40W
Proteção GS
sim
Proteção contra fonte de drenagem
diodo
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
170 ns
Td(ligado)
50 ns
Tecnologia
Field Effect (TT-MOSVI)
Temperatura
+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) mín.
2V
Produto original do fabricante
Toshiba