Transistor de canal N 2SK3567, 3.5A, 3.5A, 100mA, 3.5A, 1.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V

Transistor de canal N 2SK3567, 3.5A, 3.5A, 100mA, 3.5A, 1.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V

Quantidade
Preço unitário
1-4
2.06€
5-24
1.54€
25-49
1.35€
50+
1.25€
Equivalência disponível
Quantidade em estoque: 89

Transistor de canal N 2SK3567, 3.5A, 3.5A, 100mA, 3.5A, 1.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=100°C): 3.5A. DI (T=25°C): 3.5A. Idss: 100mA. Idss (máx.): 3.5A. On-resistência Rds On: 1.7 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 600V. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). Id(im): 14A. Marcação na caixa: K3567. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. Proteção GS: sim. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVI). Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Produto original do fabricante: Toshiba. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:31

Documentação técnica (PDF)
2SK3567
23 parâmetros
DI (T=100°C)
3.5A
DI (T=25°C)
3.5A
Idss
100mA
Idss (máx.)
3.5A
On-resistência Rds On
1.7 Ohms
Carcaça
TO-220FP
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220F
Tensão Vds(máx.)
600V
Função
Fontes de alimentação comutadas (SMPS)
Id(im)
14A
Marcação na caixa
K3567
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
35W
Proteção GS
sim
Proteção contra fonte de drenagem
diodo
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Tecnologia
Field Effect (TT-MOSVI)
Tensão porta/fonte Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Produto original do fabricante
Toshiba

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