Transistor de canal N 2SK3566, 2.5A, 2.5A, 100uA, 5.6 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V

Transistor de canal N 2SK3566, 2.5A, 2.5A, 100uA, 5.6 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V

Quantidade
Preço unitário
1-4
2.23€
5-24
1.93€
25-49
1.73€
50-99
1.60€
100+
1.43€
Quantidade em estoque: 45

Transistor de canal N 2SK3566, 2.5A, 2.5A, 100uA, 5.6 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. DI (T=100°C): 2.5A. DI (T=25°C): 2.5A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 5.6 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 900V. C (pol.): 470pF. Custo): 50pF. Diodo Trr (mín.): 720 ns. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). Id(im): 7.5A. Marcação na caixa: K3566. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Proteção GS: sim. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 60 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSIV). Temperatura: +150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Toshiba. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:31

Documentação técnica (PDF)
2SK3566
30 parâmetros
DI (T=100°C)
2.5A
DI (T=25°C)
2.5A
Idss (máx.)
100uA
On-resistência Rds On
5.6 Ohms
Carcaça
TO-220FP
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220F
Tensão Vds(máx.)
900V
C (pol.)
470pF
Custo)
50pF
Diodo Trr (mín.)
720 ns
Função
Fontes de alimentação comutadas (SMPS)
Id(im)
7.5A
Marcação na caixa
K3566
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
40W
Proteção GS
sim
Proteção contra fonte de drenagem
diodo
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
100 ns
Td(ligado)
60 ns
Tecnologia
Field Effect (TT-MOSIV)
Temperatura
+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Produto original do fabricante
Toshiba