Transistor de canal N 2SK3530-01MR, 7A, 7A, 250uA, 1.46 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V

Transistor de canal N 2SK3530-01MR, 7A, 7A, 250uA, 1.46 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V

Quantidade
Preço unitário
1-2
18.00€
3-4
16.98€
5-9
15.43€
10+
14.43€
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Transistor de canal N 2SK3530-01MR, 7A, 7A, 250uA, 1.46 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 7A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 1.46 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 740pF. Custo): 105pF. Diodo Trr (mín.): 2.3 ns. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). IDss (min): 25uA. Id(im): 28A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 40 ns. Td(ligado): 21 ns. Tecnologia: Super FAP-G Series POWER MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: Fuji Electric. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:31

Documentação técnica (PDF)
2SK3530-01MR
29 parâmetros
DI (T=100°C)
7A
DI (T=25°C)
7A
Idss (máx.)
250uA
On-resistência Rds On
1.46 Ohms
Carcaça
TO-220FP
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220F
Tensão Vds(máx.)
800V
C (pol.)
740pF
Custo)
105pF
Diodo Trr (mín.)
2.3 ns
Função
Fontes de alimentação comutadas (SMPS)
IDss (min)
25uA
Id(im)
28A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
70W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
40 ns
Td(ligado)
21 ns
Tecnologia
Super FAP-G Series POWER MOSFET
Tensão porta/fonte Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
5V
Vgs(th) mín.
3V
Produto original do fabricante
Fuji Electric

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