Transistor de canal N 2SK3528-01R, 21A, 250uA, 0.29 Ohms, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 600V

Transistor de canal N 2SK3528-01R, 21A, 250uA, 0.29 Ohms, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 600V

Quantidade
Preço unitário
1-2
9.49€
3-5
8.70€
6-7
8.12€
8-9
7.62€
10+
7.01€
Quantidade em estoque: 1

Transistor de canal N 2SK3528-01R, 21A, 250uA, 0.29 Ohms, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 600V. DI (T=25°C): 21A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.29 Ohms. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 2280pF. Custo): 290pF. Diodo Trr (mín.): 0.7us. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). IDss (min): 25uA. Id(im): 84A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 160W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 78 ns. Td(ligado): 26 ns. Tecnologia: Super FAP-G Series POWER MOSFET. Temperatura: +150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: Fuji Electric. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:31

2SK3528-01R
29 parâmetros
DI (T=25°C)
21A
Idss (máx.)
250uA
On-resistência Rds On
0.29 Ohms
Carcaça
TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-3PF
Tensão Vds(máx.)
600V
C (pol.)
2280pF
Custo)
290pF
Diodo Trr (mín.)
0.7us
Função
Fontes de alimentação comutadas (SMPS)
IDss (min)
25uA
Id(im)
84A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
160W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
diodo
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
78 ns
Td(ligado)
26 ns
Tecnologia
Super FAP-G Series POWER MOSFET
Temperatura
+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
5V
Vgs(th) mín.
3V
Produto original do fabricante
Fuji Electric