Transistor de canal N 2SK3114, 4A, 100uA, 1.6 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V

Transistor de canal N 2SK3114, 4A, 100uA, 1.6 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V

Quantidade
Preço unitário
1-4
4.30€
5-24
3.80€
25-49
3.43€
50-99
3.19€
100+
3.09€
Equivalência disponível
Quantidade em estoque: 4

Transistor de canal N 2SK3114, 4A, 100uA, 1.6 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 1.6 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 550pF. Custo): 115pF. Diodo Trr (mín.): 1.3us. Função: MOSFET de comutação de energia, uso industrial. Id(im): 16A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 35 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: transistor MOSFET. Temperatura: +150°C. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 2.5V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Produto original do fabricante: Nec. Quantidade em estoque atualizada em 14/11/2025, 01:03

Documentação técnica (PDF)
2SK3114
27 parâmetros
DI (T=25°C)
4A
Idss (máx.)
100uA
On-resistência Rds On
1.6 Ohms
Carcaça
TO-220FP
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220F
Tensão Vds(máx.)
600V
C (pol.)
550pF
Custo)
115pF
Diodo Trr (mín.)
1.3us
Função
MOSFET de comutação de energia, uso industrial
Id(im)
16A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
30W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
35 ns
Td(ligado)
12 ns
Tecnologia
transistor MOSFET
Temperatura
+150°C
Tensão porta/fonte (desligada) mín.
2.5V
Tensão porta/fonte Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Produto original do fabricante
Nec

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