Transistor de canal N 2SK3065, 1.6A, 2A, 10uA, 0.32 Ohms, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89 ( MTP3 ), 60V

Transistor de canal N 2SK3065, 1.6A, 2A, 10uA, 0.32 Ohms, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89 ( MTP3 ), 60V

Quantidade
Preço unitário
1-4
0.78€
5-24
0.62€
25-49
0.56€
50+
0.50€
Quantidade em estoque: 140

Transistor de canal N 2SK3065, 1.6A, 2A, 10uA, 0.32 Ohms, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89 ( MTP3 ), 60V. DI (T=100°C): 1.6A. DI (T=25°C): 2A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.32 Ohms. Carcaça: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89 ( MTP3 ). Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 160pF. Custo): 85pF. Função: Comutação de alta velocidade. Id(im): 8A. Marcação na caixa: KE. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Nota: serigrafia/código SMD KE. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Proteção GS: sim. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 120ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: MOS FET. Temperatura: +150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 1.5V. Vgs(th) mín.: 0.8V. Produto original do fabricante: ROHM. Quantidade em estoque atualizada em 14/11/2025, 01:03

Documentação técnica (PDF)
2SK3065
30 parâmetros
DI (T=100°C)
1.6A
DI (T=25°C)
2A
Idss (máx.)
10uA
On-resistência Rds On
0.32 Ohms
Carcaça
SOT-89 4-Pin ( 3+Tab )
Habitação (conforme ficha técnica)
SOT-89 ( MTP3 )
Tensão Vds(máx.)
60V
C (pol.)
160pF
Custo)
85pF
Função
Comutação de alta velocidade
Id(im)
8A
Marcação na caixa
KE
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Nota
serigrafia/código SMD KE
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
0.5W
Proteção GS
sim
Proteção contra fonte de drenagem
diodo
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
120ns
Td(ligado)
20 ns
Tecnologia
MOS FET
Temperatura
+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
1.5V
Vgs(th) mín.
0.8V
Produto original do fabricante
ROHM