Transistor de canal N 2SK2850, 6A, 200uA, 1.87 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V

Transistor de canal N 2SK2850, 6A, 200uA, 1.87 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V

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5-9
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Transistor de canal N 2SK2850, 6A, 200uA, 1.87 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 200uA. On-resistência Rds On: 1.87 Ohms. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão Vds(máx.): 900V. C (pol.): 950pF. Custo): 140pF. Diodo Trr (mín.): 900ns. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 10uA. Id(im): 24A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Td(desligado): 110 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: TT-MOSV. Temperatura operacional: -...+150°. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 2.5V. Produto original do fabricante: Fuji Electric. Quantidade em estoque atualizada em 14/11/2025, 01:03

Documentação técnica (PDF)
2SK2850
27 parâmetros
DI (T=25°C)
6A
Idss (máx.)
200uA
On-resistência Rds On
1.87 Ohms
Carcaça
TO-3P ( TO-218 SOT-93 )
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-3P
Tensão Vds(máx.)
900V
C (pol.)
950pF
Custo)
140pF
Diodo Trr (mín.)
900ns
Função
Comutação de alta velocidade
IDss (min)
10uA
Id(im)
24A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Pd (dissipação de energia, máx.)
125W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
Td(desligado)
110 ns
Td(ligado)
20 ns
Tecnologia
TT-MOSV
Temperatura operacional
-...+150°
Tensão porta/fonte Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
3.5V
Vgs(th) mín.
2.5V
Produto original do fabricante
Fuji Electric

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