Transistor de canal N 2SK2828, 12A, 100uA, 0.9 Ohms, TO-3P, 700V. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.9 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão Vds(máx.): 700V. C (pol.): 1850pF. Custo): 400pF. Diodo Trr (mín.): 2.5us. Função: Comutação de energia de alta velocidade. IDss (min): na. Id(im): 48A. Potência: 175W. Proteção GS: sim. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Td(desligado): 140 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: Transistor MOSFET canal N. Temperatura operacional: -...+150°C. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 2V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tf(min): TO-3P ( TO3P ). Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Produto original do fabricante: Hitachi. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:31