Transistor de canal N 2SK2761, 5.5A, 10A, 500uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F, 600V

Transistor de canal N 2SK2761, 5.5A, 10A, 500uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F, 600V

Quantidade
Preço unitário
1-4
4.53€
5-9
4.14€
10-24
3.87€
25-49
3.66€
50+
3.32€
Quantidade em estoque: 3

Transistor de canal N 2SK2761, 5.5A, 10A, 500uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=100°C): 5.5A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 500uA. On-resistência Rds On: 1 Ohm. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 1100pF. Custo): 170pF. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 10uA. Id(im): 36A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 75 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: V-MOS. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3.5V. Produto original do fabricante: Fuji Electric. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:31

Documentação técnica (PDF)
2SK2761
30 parâmetros
DI (T=100°C)
5.5A
DI (T=25°C)
10A
Idss (máx.)
500uA
On-resistência Rds On
1 Ohm
Carcaça
TO-220FP
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220F
Tensão Vds(máx.)
600V
C (pol.)
1100pF
Custo)
170pF
Diodo Trr (mín.)
500 ns
Função
Comutação de alta velocidade
IDss (min)
10uA
Id(im)
36A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
50W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
75 ns
Td(ligado)
25 ns
Tecnologia
V-MOS
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4.5V
Vgs(th) mín.
3.5V
Produto original do fabricante
Fuji Electric