Transistor de canal N 2SK2662, 5A, 100uA, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 1.35 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 780pF. Custo): 200pF. Diodo Trr (mín.): 1400 ns. Função: High Speed Switching, Zener-Protected. Id(im): 20A. Marcação na caixa: K2662. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. Proteção GS: sim. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 60 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo (TT-MOS V). Temperatura: +150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Toshiba. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:31