Transistor de canal N 2SK2651, 3A, 6A, 500uA, 1.78 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 900V

Transistor de canal N 2SK2651, 3A, 6A, 500uA, 1.78 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 900V

Quantidade
Preço unitário
1-4
4.54€
5-24
4.20€
25-49
3.95€
50+
3.73€
Quantidade em estoque: 26

Transistor de canal N 2SK2651, 3A, 6A, 500uA, 1.78 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 900V. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 500uA. On-resistência Rds On: 1.78 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F15. Tensão Vds(máx.): 900V. C (pol.): 900pF. Custo): 130pF. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 10uA. Id(im): 24A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Td(desligado): 70 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: FAP-IIS Series. Temperatura operacional: -...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3.5V. Produto original do fabricante: Fuji Electric. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:31

Documentação técnica (PDF)
2SK2651
27 parâmetros
DI (T=100°C)
3A
DI (T=25°C)
6A
Idss (máx.)
500uA
On-resistência Rds On
1.78 Ohms
Carcaça
TO-220FP
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220F15
Tensão Vds(máx.)
900V
C (pol.)
900pF
Custo)
130pF
Função
Comutação de alta velocidade
IDss (min)
10uA
Id(im)
24A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Pd (dissipação de energia, máx.)
50W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
Td(desligado)
70 ns
Td(ligado)
25 ns
Tecnologia
FAP-IIS Series
Temperatura operacional
-...+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4.5V
Vgs(th) mín.
3.5V
Produto original do fabricante
Fuji Electric