Transistor de canal N 2SK2647, 4A, 4A, 200uA, 3.19 Ohms, TO-220, TO-220F15, 800V. DI (T=100°C): 4A. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 200uA. On-resistência Rds On: 3.19 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F15. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 450pF. Custo): 75pF. Diodo Trr (mín.): 450 ns. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 10uA. Id(im): 16A. Marcação na caixa: K2647. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: FAP-IIS Series MOS-FET. Temperatura: +150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3.5V. Produto original do fabricante: Fuji Electric. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:31