Transistor de canal N 2SK2605, 5A, 100uA, 1.9 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 1.9 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 1800pF. Custo): 105pF. Diodo Trr (mín.): 1000 ns. Função: High Speed, H.V. Id(im): 15A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Proteção GS: sim. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. Td(desligado): 140 ns. Td(ligado): 80 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSIII). Temperatura: +150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Toshiba. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:31