Transistor de canal N 2SK2480, 3A, 100uA, 3.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V

Transistor de canal N 2SK2480, 3A, 100uA, 3.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V

Quantidade
Preço unitário
1-4
8.98€
5-24
8.13€
25-49
7.50€
50+
7.02€
Quantidade em estoque: 12

Transistor de canal N 2SK2480, 3A, 100uA, 3.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. DI (T=25°C): 3A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 3.2 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 900V. C (pol.): 900pF. Custo): 130pF. Diodo Trr (mín.): 650 ns. Função: Aplicações de comutação de alta tensão. Id(im): 12A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 63 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: transistor MOSFET. Temperatura: +150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 2.5V. Produto original do fabricante: Nec. Quantidade em estoque atualizada em 14/11/2025, 01:03

Documentação técnica (PDF)
2SK2480
28 parâmetros
DI (T=25°C)
3A
Idss (máx.)
100uA
On-resistência Rds On
3.2 Ohms
Carcaça
TO-220FP
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220F
Tensão Vds(máx.)
900V
C (pol.)
900pF
Custo)
130pF
Diodo Trr (mín.)
650 ns
Função
Aplicações de comutação de alta tensão
Id(im)
12A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
35W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
diodo
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
63 ns
Td(ligado)
17 ns
Tecnologia
transistor MOSFET
Temperatura
+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
3.5V
Vgs(th) mín.
2.5V
Produto original do fabricante
Nec