Transistor de canal N 2SK2314, 27A, 100uA, 0.09 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=25°C): 27A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.09 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 1100pF. Custo): 180pF. Diodo Trr (mín.): 155 ns. Função: Eletrônica automotiva. Id(im): 108A. Marcação na caixa: K2314. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Proteção GS: sim. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: ESD Protected--2000V min. Td(desligado): 140us. Td(ligado): 30us. Tecnologia: Transistor de efeito de campo de potência. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 0.8V. Produto original do fabricante: Toshiba. Quantidade em estoque atualizada em 14/11/2025, 01:03