Transistor de canal N 2SK1529, 10A, 1mA, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 2-16C1B, 180V. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 1mA. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): 2-16C1B. Tensão Vds(máx.): 180V. C (pol.): 700pF. Custo): 150pF. Função: Aplicação de amplificador de alta potência. IDss (min): -. Marcação na caixa: K1529. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 120W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: não. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) 2SJ200. Tecnologia: Tipo MOS de canal N de silício de efeito de campo. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 2.8V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 0.8V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Produto original do fabricante: Toshiba. Quantidade em estoque atualizada em 14/11/2025, 01:03