Transistor de canal N 2SK1461, 2A, 5A, 1mA, 2.8 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3BP, 900V. DI (T=100°C): 2A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 1mA. On-resistência Rds On: 2.8 Ohms. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3BP. Tensão Vds(máx.): 900V. C (pol.): 700pF. Custo): 300pF. Função: Transistor N MOSFET. IDss (min): -. Id(im): 10A. Marcação na caixa: K1461. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Pd (dissipação de energia, máx.): 120W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Td(desligado): 200 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: V-MOS, S-L. Temperatura operacional: -...+150°C. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 2V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 3V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Produto original do fabricante: Sanyo. Quantidade em estoque atualizada em 14/11/2025, 01:03