TPS2812P

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TPS2812P. Carcaça (padrão JEDEC): -. Carcaça: DIP. Configuração: montagem através de furo PCB. Família de componentes: Circuito de acionamento MOSFET/IGBT. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-8. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de circuitos: 2. Número de terminais: 8:1. Número de terminais: 8:1. RoHS: sim. Temperatura máxima: +125°C.. Temperatura operacional: -40...+85°C. Tipo de circuitos: Circuito de acionamento MOSFET/IGBT. [V]: +14V/40V. Produto original do fabricante: Texas Instruments. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 19:23

Documentação técnica (PDF)
TPS2812P
14 parâmetros
Carcaça
DIP
Configuração
montagem através de furo PCB
Família de componentes
Circuito de acionamento MOSFET/IGBT
Habitação (conforme ficha técnica)
DIP-8
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de circuitos
2
Número de terminais
8:1
Número de terminais
8:1
RoHS
sim
Temperatura máxima
+125°C.
Temperatura operacional
-40...+85°C
Tipo de circuitos
Circuito de acionamento MOSFET/IGBT
[V]
+14V/40V
Produto original do fabricante
Texas Instruments