S1M, DO-214, DO-214AC, 1000V, 1A, 1A, 1A, 30A, SMA DO214AC

S1M, DO-214, DO-214AC, 1000V, 1A, 1A, 1A, 30A, SMA DO214AC

Quantidade
Preço unitário
10-49
0.0466€
50-99
0.0387€
100-199
0.0349€
200+
0.0293€
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Mín.: 10

S1M, DO-214, DO-214AC, 1000V, 1A, 1A, 1A, 30A, SMA DO214AC. Carcaça: DO-214. Carcaça (padrão JEDEC): DO-214AC. VRRM: 1000V. Corrente Média Retificada por Diodo: 1A. Corrente direta (AV): 1A. Corrente direta [A]: 1A. IFSM: 30A. Habitação (conforme ficha técnica): SMA DO214AC. Cj: 12pF. Configuração de diodo: independente. Configuração: componente montado em superfície (SMD). Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 5uA..50uA. Corrente de fuga reversa: <50uA / 1000V. Corrente de pulso máx.: 30A. Corrente de vazamento: 5uA. Diodo Trr (mín.): 1.8us. Dirigindo corrente: 6A. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Estrutura semicondutora: diodo. Família de componentes: Diodo retificador montado em superfície (SMD). Função: diodos retificadores de uso geral. Informação: -. Ism [A]: 32A. MSL: -. Marcação na caixa: 1M. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Nota: caixa 4,6x2,7mm. Número de terminais: 2. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: IFSM--30Ap t=10mS. Série: S1. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura operacional: -55...+155°C. Tempo de reação: 1.5us. Tempo de recuperação reversa (máx.): 1500ns. Tensão de condução (tensão limite): 1.1V. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Tensão direta (máx.): <1.1V / 1A. Tensão direta Vf (min): 1.1V. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão reversa máxima: 1kV. Tipo de diodo: diodo retificador. Tipo de montagem: SMD. Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]: -. [V]: 1.1V @ 1A. Produto original do fabricante: Taiwan Semiconductor. Quantidade mínima: 10. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 22:14

Documentação técnica (PDF)
S1M
47 parâmetros
Carcaça
DO-214
Carcaça (padrão JEDEC)
DO-214AC
VRRM
1000V
Corrente Média Retificada por Diodo
1A
Corrente direta (AV)
1A
Corrente direta [A]
1A
IFSM
30A
Habitação (conforme ficha técnica)
SMA DO214AC
Cj
12pF
Configuração de diodo
independente
Configuração
componente montado em superfície (SMD)
Corrente de fuga no fechamento Ir [A]
5uA..50uA
Corrente de fuga reversa
<50uA / 1000V
Corrente de pulso máx.
30A
Corrente de vazamento
5uA
Diodo Trr (mín.)
1.8us
Dirigindo corrente
6A
Estrutura dielétrica
Ânodo-Cátodo
Estrutura semicondutora
diodo
Família de componentes
Diodo retificador montado em superfície (SMD)
Função
diodos retificadores de uso geral
Ism [A]
32A
Marcação na caixa
1M
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Nota
caixa 4,6x2,7mm
Número de terminais
2
Número de terminais
2
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
IFSM--30Ap t=10mS
Série
S1
Temperatura máxima
+150°C.
Temperatura operacional
-55...+155°C
Tempo de reação
1.5us
Tempo de recuperação reversa (máx.)
1500ns
Tensão de condução (tensão limite)
1.1V
Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]
1 kV
Tensão direta (máx.)
<1.1V / 1A
Tensão direta Vf (min)
1.1V
Tensão limite Vf (máx.)
1.1V
Tensão reversa máxima
1kV
Tipo de diodo
diodo retificador
Tipo de montagem
SMD
[V]
1.1V @ 1A
Produto original do fabricante
Taiwan Semiconductor
Quantidade mínima
10

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