MUR1100E, 1A, 35A, DO-41, DO-41 ( DO-204AL ) ( CASE59-10 ) ( 7.3x3.4mm ), 1000V

MUR1100E, 1A, 35A, DO-41, DO-41 ( DO-204AL ) ( CASE59-10 ) ( 7.3x3.4mm ), 1000V

Quantidade
Preço unitário
1-4
0.56€
5-24
0.46€
25-49
0.40€
50-99
0.36€
100+
0.32€
Equivalência disponível
Quantidade em estoque: 123

MUR1100E, 1A, 35A, DO-41, DO-41 ( DO-204AL ) ( CASE59-10 ) ( 7.3x3.4mm ), 1000V. Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 35A. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( DO-204AL ) ( CASE59-10 ) ( 7.3x3.4mm ). VRRM: 1000V. Condicionamento: -. Diodo Trr (mín.): 75 ns. Equivalentes: MUR1100ERLG. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Função: Ultrafast “E” Series with High Reverse. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: IFSM. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão direta Vf (min): 1.5V. Tensão limite Vf (máx.): 1.75V. Unidade de condicionamento: 1000. Produto original do fabricante: ON Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 14:35

Documentação técnica (PDF)
MUR1100E
20 parâmetros
Corrente direta (AV)
1A
IFSM
35A
Carcaça
DO-41
Habitação (conforme ficha técnica)
DO-41 ( DO-204AL ) ( CASE59-10 ) ( 7.3x3.4mm )
VRRM
1000V
Diodo Trr (mín.)
75 ns
Equivalentes
MUR1100ERLG
Estrutura dielétrica
Ânodo-Cátodo
Função
Ultrafast “E” Series with High Reverse
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
2
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
IFSM
Temperatura operacional
-65...+175°C
Tensão direta Vf (min)
1.5V
Tensão limite Vf (máx.)
1.75V
Unidade de condicionamento
1000
Produto original do fabricante
ON Semiconductor

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